Електричний струм у напівпровідниках

Зростає і в напівпровідниках, і в металах через збільшення амплітуди коливань іонів кристалічних ґраток.

Зменшується і в напівпровідниках, і в металах через прискорення руху вільних електронів.

Зменшується у напівпровідниках (на відміну від металів), оскільки з ростом температури стрімко зростає концентрація вільних носіїв заряду.

Залишається незмінним, оскільки тепловий рух компенсує зміну концентрації носіїв.

Однакова кількість вільних електронів та дірок.

Лише вільні електрони, оскільки дірки не мають маси і не переносять заряд.

Переважно позитивні іони кристалічної ґратки.

Лише дірки, а електрони залишаються локалізованими на зв'язках.

Тривалентну домішку (акцепторну); основні носії — дірки.

П'ятивалентну домішку (донорну); основні носії — дірки.

П'ятивалентну домішку (донорну); основні носії — електрони.

Чотиривалентну домішку іншого хімічного елемента; основні носії — іони.

П'ятивалентна, донорна домішка.

Тривалентна, акцепторна домішка.

Двовалентна, донорна домішка.

Шестивалентна, акцепторна домішка.

Потенціальний бар'єр і товщина запірного шару зменшуються, забезпечуючи великий прямий струм.

Потенціальний бар'єр і товщина запірного шару збільшуються, струм майже дорівнює нулю.

Бар'єр зникає повністю, і напівпровідник стає ідеальним надпровідником.

Товщина запірного шару зростає, а струм тече лише в зворотному напрямку.

Зовнішнє поле співпадає за напрямком з внутрішнім полем переходу, розширюючи запірний шар і прискорюючи основні носії через нього.

Усі вільні електрони повністю рекомбінують із дірками безпосередньо біля джерела струму.

Зовнішнє поле підсилює потенціальний бар'єр; через перехід можуть рухатися лише неосновні носії заряду, концентрація яких мала.

Кристалічна ґратка руйнується, перетворюючись на діелектрик.

У напівпровідників заборонена зона повністю відсутня, а у діелектриків вона є широкою.

Напівпровідники за таких умов проводять струм, а діелектрики — ні.

Ширина забороненої зони напівпровідників набагато більша, ніж у діелектриків.

У напівпровідників ширина забороненої зони відносно мала (до кількох електрон-вольт), тому теплової енергії або невеликої дози квантів світла достатньо для переходу електронів у зону провідності.

Зростає пропорційно інтенсивності світла.

Істотно зменшується через внутрішній фотоефект (зростання концентрації неосвітлених раніше вільних носіїв).

Залишається незмінним, оскільки світло впливає тільки на температуру, а не на концентрацію носіїв.

Зменшується до нуля через перехід у стан ідеального діелектрика.

Вони мають високий температурний коефіцієнт опору і суттєву зміну опору навіть за невеликих коливань температури.

Метали не проводять електричний струм взагалі.

Опір напівпровідників від температури взагалі не залежить, що зручно для калібрування.

Термістори з металів неможливо підключити до вимірювальних приладів.

Плавленням дротів та перетворенням напівпровідника на газ.

Повною зупинкою будь-якого руху електронів у кристалі.

Різким лавиноподібним зростанням сили зворотного струму через іонізацію або тунельний ефект під дією сильного поля.

Перетворенням p-n переходу на джерело постійної магнітної індукції.

$\(G\)$ набагато більша за $\(R\)$, тому кількість вільних носіїв нескінченно зростає.

$\(R\)$ набагато більша за $\(G\)$, що веде до повної деградації носіїв заряду.

вони не залежать одна від одної, і їхнє співвідношення довільне.

$\(G = R\)$, тобто кількість новоутворених пар електрон-дірка за одиницю часу дорівнює кількості пар, що рекомбінують.

Опір термістора зменшився у $4$ рази.

Опір термістора зменшився у $2$ рази.

Опір термістора збільшився у $2$ рази.

Опір термістора збільшився у $4$ рази.

Опір термістора не змінився.