Лабораторна робота. Дослідження односторонньої провідності напівпровідникового діода

Ознайомтесь із темою, метою, обладнанням та короткими теоретичними відомостями.

Тема: Дослідження односторонньої провідності напівпровідникового діода.

Мета: Вивчити основні властивості напівпровідникового діода.

Обладнання: Напівпровідниковий діод, джерело постійного струму, електрична лампа, провідники.

Теоретичні відомості

Принцип дії більшості напівпровідникових приладів базується на використанні властивостей p-n-переходу.

Для утворення р-n-переходу в кристалі з електронною провідністю треба створити область з дірковою провідністю або в кристалі з дірковою провідністю — область з електронною провідністю.

Якщо р-n-перехід з’єднати з джерелом струму так, щоб з його позитивним полюсом була з’єднана область з електронною провідністю (катод), то електрони в n-напівпровіднику і дірки в р-напівпровіднику будуть віддалятись зовнішнім полем від запірного шару в протилежних напрямах, збільшуючи його питомий опір. Цей спосіб увімкнення р-n-переходу називається увімкненням у запірному, або зворотному напрямі.

Якщо р-n-перехід з’єднати з джерелом струму так, щоб позитивний полюс був з’єднаний з областю діркової провідності (анодом діода), а негативний — з областю електронної провідності (катодом діода), то переходи основних носіїв через р-n-перехід полегшуються.

Основні носії зменшують товщину й опір запірного шару. Цей спосіб увімкнення називається увімкненням у пропускному, або в прямому, напрямі - режим провідності діода.

Здатність р-n-переходу пропускати струм практично тільки в одному напрямі і не пропускати його в протилежному напрямі використовується в приладах, що одержали назву напівпровідникових діодів.

Розмістіть на фото біля приладів їх умовні позначення:

Посортуйте відповідно до типу провідності напівпровідника, які створюють домішки, при їх введенні в германій (Ge).