https://ua.izzi.digital/DOS/1437866/1438768.html
https://api.izzi.digital/datastore/21/publication/1437866/files/2025/09/29/78c0e8de6d16bf39aacabce42e14c6f3_urok_13._elektricnij_strum_u_napivprovidnikah._vlasna_providnist_.pdf?v=1775507849
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/9/9a/Photoresistors_-_three_sizes_-_mm_scale.jpg?utm_source=uk.wikipedia.org&utm_campaign=index&utm_content=original
- Всеосвіта›
- Бібліотека тестів›
- Фізика›
- Електричний струм у напівпровідниках. Власна провідність напівпровідників
Тест:
Електричний струм у напівпровідниках. Власна провідність напівпровідників
28.09.2026
Вміст тесту:
1
2
3
4
5
6
7
8
1
1 з 13 балів
Як змінюється питомий опір більшості напівпровідників із підвищенням температури?
2
1 з 13 балів
Який тип зв'язку існує між атомами в кристалічній ґратці кремнію?
3
1 з 13 балів
Носіями вільного заряду у чистих напівпровідниках є:
4
1.5 з 13 балів
Провідність напівпровідників, зумовлену наявністю в них однакової кількості вільних електронів і дірок, називають:
5
1.5 з 13 балів
Напівпровідниковий пристрій, опір якого залежить від освітленості, називається:
6
2 з 13 балів
Установіть відповідність між поняттям чи пристроєм (1–4) та його характеристикою або принципом дії (А–Д).
Поняття / Пристрій | Характеристика / Принцип дії |
1. Термістор | А) Вакантне електронне місце в кристалічній ґратці, що поводиться як позитивний заряд |
2. Фоторезистор | Б) Напівпровідниковий пристрій, опір якого суттєво залежить від температури |
3. Дірка | В) Напівпровідниковий пристрій, опір якого змінюється залежно від освітленості |
4. Графен | Г) Перспективний універсальний напівпровідниковий наноматеріал |
Д) Речовина, питомий опір якої становить |
7
2.5 з 13 балів
Виберіть усі правильні твердження щодо напівпровідників:
8
2.5 з 13 балів
Установіть правильну послідовність етапів виникнення струму у чистому напівпровіднику під дією електричного поля:
А) Перестрибування валентного електрона від сусіднього атома на вакантне місце (у дірку)
Б) Отримання валентним електроном енергії, достатньої для розриву ковалентного зв'язку та перетворення на вільний електрон
В) Напрямлений рух вільних електронів і дірок під дією зовнішнього електричного поля
Г) Утворення «порожнього місця» (дірки) з позитивним зарядом на місці залишеного електрона
Рефлексія від 5 учнів
Сподобався:
0
Так: 4
Ні: 1
Зрозумілий:
0
Так: 4
Ні: 1
Потрібні роз'яснення:
0
Ні: 4
Так: 1
