Юному фізику – Експерименти з біполярними транзисторами типу PNP і NPN
Трохи історії - 16 грудня 1947 року фізик-експериментатор Волтер Браттейн, який працював із теоретиком Джоном Бардіном, зібрав перший робочий точковий транзистор. Через півроку, але до оприлюднення робіт Бардіна та Браттейна, німецькі фізики Герберт Матаре[en] й Генріх Велькер[en] представили розроблений у Франції точковий транзистор («транзистрон»). Так «народився» перший точковий біполярний транзистор. Точковий транзистор, випускався серійно близько десяти років, виявився недосконалим — і на його зміну прийшли германієві площинні транзистори. Теорію p-n-переходу та площинного транзистора створив у 1948—1950 роках Вільям Шоклі. Перший площинний транзистор був виготовлений 12 квітня 1950 року методом вирощування з розплаву. За ним були сплавний транзистор, «електрохімічний» транзистор і дифузійний меза-транзистор. В 1954 року Texas Instruments випустила перший кремнієвий транзистор. Відкриття процесу мокрого окиснення кремнію зробило можливим випуск в 1958 році перших кремнієвих меза-транзисторів, а у березні 1959 року Жан Ерні створив перший кремнієвий планарний транзистор. Кремній витіснив германій, а планарний процес став основною технологією виробництва транзисторів і зробив можливим створення монолітних інтегральних схем. Кремнієві транзистори набагато кращі за германієві по своїм параметрам, проте радіоаматори з успіхом можуть використовувати і германієві транзистори які тепер не випускає промисловість, але є їх багато, виготовлених в минулому столітті.
Пропонується провести експеримент з транзисторами різної структури. Для експерименту візьмемо германієвий транзистор PNP структури типу ГТ308В – зберемо схему, приведену на рис. 1. Якщо вибрати резистор що задає базовий струм рівний 200 кОм, то базовий струм через емітер транзистора VT1, згідно закону Ома буде становити Uживл./R1, тобто 6 В/200000Ом = 0,00003 А. Струм в колекторі для даного екземпляра транзистора становить 0,0036 А (3,6 мА) – по результату вимірювань можливо визначити параметр: статичний коефіцієнт підсилення транзистора по постійному струму h21е = Iк/Iб = 0,0036/0,00003 = 120
